MOSFET مقابل BJT
الترانزستور هو جهاز إلكتروني أشباه الموصلات يعطي إشارة خرج كهربائية متغيرة إلى حد كبير للتغييرات الصغيرة في إشارات الإدخال الصغيرة. نظرًا لهذه الجودة ، يمكن استخدام الجهاز إما كمكبر للصوت أو كمفتاح. تم إصدار الترانزستور في الخمسينيات من القرن الماضي ويمكن اعتباره أحد أهم الاختراعات في القرن العشرين بالنظر إلى المساهمة في تكنولوجيا المعلومات. إنه جهاز سريع التطور وقد تم إدخال العديد من أنواع الترانزستورات. الترانزستور ثنائي القطب (BJT) هو النوع الأول وترانزستور تأثير مجال أشباه الموصلات بأكسيد المعادن (MOSFET) هو نوع ترانزستور آخر تم تقديمه لاحقًا.
ثنائي القطب تقاطع الترانزستور (BJT)
يتكونBJT من تقاطعات PN (تقاطع يتم إجراؤه عن طريق توصيل أشباه الموصلات من النوع p وأشباه الموصلات من النوع n). يتم تشكيل هاتين الوصلتين باستخدام ربط ثلاث قطع من أشباه الموصلات بترتيب P-N-P أو N-P-N. لذلك يتوفر نوعان من BJTs المعروفان باسم PNP و NPN.
ثلاثة أقطاب كهربائية متصلة بأجزاء أشباه الموصلات الثلاثة ويسمى الرصاص الأوسط "القاعدة". هناك تقاطعين آخرين هما "الباعث" و "المجمع".
في BJT ، يتم التحكم بتيار باعث المجمع الكبير (Ic) بواسطة تيار باعث القاعدة الصغير (IB) ويتم استغلال هذه الخاصية لتصميم مكبرات الصوت أو المفاتيح. لذلك يمكن اعتباره جهازًا مدفوعًا حاليًا. يستخدم BJT في الغالب في دوائر مكبر الصوت.
ترانزستور تأثير مجال أشباه الموصلات لأكسيد المعادن (MOSFET)
MOSFET هو نوع من ترانزستور تأثير المجال (FET) ، وهو مصنوع من ثلاث محطات طرفية تعرف باسم "البوابة" و "المصدر" و "الصرف". هنا ، يتم التحكم في تيار التصريف بواسطة جهد البوابة. لذلك ، MOSFETs هي أجهزة يتم التحكم فيها بالجهد.
تتوفرMOSFETs في أربعة أنواع مختلفة مثل قناة n أو قناة p إما في وضع الاستنفاد أو التحسين. يتم تصنيع الصرف والمصدر من أشباه الموصلات من النوع n لـ MOSFETs ذات القنوات n ، وبالمثل لأجهزة القناة p. البوابة مصنوعة من المعدن ويتم فصلها عن المصدر والصرف بأكسيد معدني. يتسبب هذا العزل في انخفاض استهلاك الطاقة وهو ميزة في MOSFET. لذلك ، يتم استخدام MOSFET في منطق CMOS الرقمي ، حيث يتم استخدام وحدات MOSFET ذات القناة p و n ككتل بناء لتقليل استهلاك الطاقة.
على الرغم من اقتراح مفهوم MOSFET في وقت مبكر جدًا (في عام 1925) ، فقد تم تنفيذه عمليًا في عام 1959 في مختبرات بيل.
BJT مقابل MOSFET
1. BJT هو في الأساس جهاز مدفوع حاليًا ، على الرغم من أن MOSFET يعتبر جهازًا للتحكم في الجهد.
2. تُعرف محطات BJT بالباعث والمجمع والقاعدة ، في حين أن MOSFET مصنوع من البوابة والمصدر والصرف.
3. في معظم التطبيقات الجديدة ، يتم استخدام MOSFETs من BJTs.
4. تتمتع MOSFET بهيكل أكثر تعقيدًا مقارنةً بـ BJT
5. MOSFET فعال في استهلاك الطاقة أكثر من BJTs وبالتالي يستخدم في منطق CMOS.
