BJT مقابل IGBT
BJT (ترانزستور تقاطع ثنائي القطب) و IGBT (ترانزستور ثنائي القطب المعزول بالبوابة) نوعان من الترانزستورات المستخدمة للتحكم في التيارات. يحتوي كلا الجهازين على تقاطعات PN ويختلفان في بنية الجهاز. على الرغم من أن كلاهما من الترانزستورات ، إلا أن لديهما اختلافات كبيرة في الخصائص.
BJT (ترانزستور مفرق ثنائي القطب)
BJT هو نوع من الترانزستور يتكون من تقاطعات PN (تقاطع يتم إجراؤه عن طريق توصيل أشباه الموصلات من النوع p وأشباه الموصلات من النوع n). يتم تشكيل هاتين الوصلتين باستخدام ربط ثلاث قطع من أشباه الموصلات بترتيب P-N-P أو N-P-N. لذلك يتوفر نوعان من BJTs ، المعروفان باسم PNP و NPN.
ثلاثة أقطاب كهربائية متصلة بأجزاء أشباه الموصلات الثلاثة ويسمى الرصاص الأوسط "القاعدة". هناك تقاطعين آخرين هما "الباعث" و "المجمع".
في BJT ، يتم التحكم في باعث المجمع الكبير (Ic) الحالي بواسطة تيار باعث القاعدة الصغير (IB) ، وهذه الخاصية يتم استغلالها لتصميم مكبرات الصوت أو المفاتيح. لذلك ، يمكن اعتباره جهازًا مدفوعًا حاليًا. يستخدم BJT في الغالب في دوائر مكبر الصوت.
IGBT (بوابة معزولة الترانزستور ثنائي القطب)
IGBT هو جهاز أشباه الموصلات بثلاث محطات طرفية تعرف باسم "Emitter" و "Collector" و "Gate". إنه نوع من الترانزستور ، يمكنه التعامل مع كمية أكبر من الطاقة ولديه سرعة تحويل أعلى مما يجعله عالي الكفاءة. تم تقديم IGBT إلى السوق في الثمانينيات.
يحتوي IGBT على الميزات المدمجة لكل من الترانزستور MOSFET والترانزستور ثنائي القطب (BJT). إنها بوابة مدفوعة مثل MOSFET ولها خصائص الجهد الحالي مثل BJTs.لذلك فهي تتمتع بمزايا قدرة المناولة العالية الحالية وسهولة التحكم. وحدات IGBT (تتكون من عدد من الأجهزة) تتعامل مع كيلووات من الطاقة.
الفرق بين BJT و IGBT
1. BJT هو جهاز مدفوع حاليًا ، بينما يتم تشغيل IGBT بواسطة جهد البوابة
2. تُعرف محطات IGBT بالباعث والمجمع والبوابة ، بينما يتكون BJT من باعث ومجمع وقاعدة.
3. تعد IGBTs أفضل في معالجة الطاقة من BJT
4. يمكن اعتبار IGBT مزيجًا من BJT و FET (ترانزستور تأثير المجال)
5. يحتوي IGBT على بنية جهاز معقدة مقارنة بـ BJT
6. BJT لها تاريخ طويل مقارنة بـ IGBT
